典型設備包括: 阻斷特性測試臺、 晶閘管觸發特性測試臺、 全自動電力半導體器件靜態、 動態綜合參數測試臺、 反向恢復電荷測試臺、晶閘管開通時間、關斷時間、電流上升率、電壓上升率測試臺,高溫阻斷試驗臺、自動熱穩態壓力實具。
|
晶閘管、整流管器件靜態測試臺主要參數及測試范圍 |
|||||
|
測試項目 |
伏安特性測試 |
晶閘管門極特性測試 |
晶閘管維持特性測試 |
晶閘管筆住電流測試 |
通態峰値壓降測試 |
|
主要參數及范圍 |
峰值電壓:500~15kV 漏電流: 0.1 ~1000mA |
門極電壓VGT:0.2~ 5V 門極電流lGT:1mA~1A |
維持電流HI: 1mA~500mA |
擎住電流IL: 2mA~ 1 000mA |
峰値電流ITM: 500A~ 10kA 峰值壓降VTM: 0.1 ~10V |
|
晶閘管、整流管器件動態測試臺主要參數及測試范圍 |
||||
|
測試項目 |
電壓上升率dv/dt測試 |
電流上升率di/dt測試 |
晶間管關斷時間測試Tq |
晶閘管恢復特性測試 |
|
主要參數及范圍 |
斷態電壓VD: 100~5000V dv/dt: 100-2500V/us |
通態電流: 10~5000A di/dt: 10-2000A/us |
通態電流lT: 200~4000A(4ms） -di/dt:60A/uS 斷態電壓VD: 100-4500V dv/dt: 100-2000V/us 反向電壓VRR:200V -di/dt:60A/uS |
正向電流lT:200~4000A 脈寬: 1000~4000us 反向,陝復電流lrr: 500A 反向申壓VRR:200V -di/dt: 60A/Us 恢復電荷Qrr: 100~25000uC |
|
