碳化硅（SiC）緣何成為第三代半導(dǎo)體**重要的材料？

在MOCVD反應(yīng)設(shè)備的外延工藝中，襯底晶片由轉(zhuǎn)動(dòng)的石墨盤基座或載盤進(jìn)行支撐，石墨盤基座的材料性能具有關(guān)鍵影響，進(jìn)而也影響著廢品率。

弘竣新材料采用德國(guó)SGL高純度等靜壓石墨，為石墨盤基座和載盤精心挑選合適的石墨等級(jí)，高精密度的加工確保載盤坑內(nèi)具有均勻是的形貌和**小的平整度偏差，**產(chǎn)品的質(zhì)量?？梢罁?jù)客戶不同的需求規(guī)格加工定制。