LEEG立格SMP858-TST單晶硅表壓力變送器

LEEG單晶硅壓力變送器采用單晶硅技術(shù)壓力傳感器，單晶硅壓力傳感器位于金屬本體頂，遠(yuǎn)離介質(zhì)接觸面，實(shí)現(xiàn)械隔離和隔離，玻璃燒結(jié)一體的傳感器引線與金屬基體的高強(qiáng)度電氣絕緣，提高了電子線路的靈活能與耐瞬變電壓護(hù)的能力，可應(yīng)對復(fù)雜的化學(xué)場合和械負(fù)荷，同時(shí)具備較強(qiáng)的抗電磁能力，適合苛刻的流程工業(yè)環(huán)境中壓力、液位或流量測量應(yīng)用。



主要參數(shù)

壓力類型：表壓

量程范圍：10kPa-3MPa

輸出號：4-20mA，4-20mA+HART、Modbus-RTU/RS485

參考精度：±0.2量程上限，可選±0.05量程上限

認(rèn)：CE，EXPSI，IECEx，RoHS



技術(shù)參數(shù)

標(biāo)稱量程：40kPa，250kPa，1MPa，3MPa

典型精度：±0.2量程上限

年穩(wěn)定：±0.2量程上限/5年

環(huán)境溫度影響（典型值）：在- 20- 80℃范圍內(nèi)總影響量為0.2%量程上限/10k

電源影響：當(dāng)供電電壓在10.5/16.5-55VDC內(nèi)變化，其零點(diǎn)和量程的變化應(yīng)不超過±0.005量程上限/V

抗振動性： 10gRMS（25...2000H）符合IEC60068-2-6 標(biāo)準(zhǔn)

抗沖擊性：500g/1ms符合IEC60068-2-27標(biāo)準(zhǔn)

絕緣電阻：≥20MΩ@參考條件下，  100VDC

總阻尼時(shí)間常數(shù)：等于電子線路件和傳感膜盒阻尼時(shí)間常數(shù)之和

電子線路件阻尼時(shí)間：0-100S范圍可調(diào)

傳感膜盒（隔離傳感膜片和硅油填充液）阻尼時(shí)間：≤0.2S

斷電后上電啟動時(shí)間：≤6S

數(shù)據(jù)恢復(fù)至正常使用時(shí)間：≤31S

凈重：約1.6kg

使用環(huán)境溫度范圍：-40-85℃，一體化LCD顯示：-20-70℃

儲存環(huán)境溫度范圍：-40-110℃，一體化LCD顯示：-40-85℃

使用環(huán)境溫度范圍：5-100RH@40℃

護(hù)等級：IP67

NEPSI：ExdII-6Gb（GYB16.1365X）/  ExiaII-4Ga（GBY16.1253X）

標(biāo)準(zhǔn)型/隔型：10.5-55VDC

HART通訊協(xié)議：16.5-55VDC，通訊時(shí)負(fù)載電阻250Ω

RS485：12-32VDC

負(fù)載電阻：0-2119Ω為工作狀態(tài)，250-600Ω HART通訊

傳輸距離：<1000米

功耗：≤500mV@24VDC，20.8mA

隔離膜片材質(zhì)：316L不銹鋼、哈氏合金C

隔離充灌液：常溫硅油，適用直接接觸溫度范圍- 45-250℃

衛(wèi)生填充液Neobee M-20 ，適用直接接觸溫度范圍- 10-180℃

號輸出方式：4-20mA二線制，適用供電電壓10.5-55VDC

4-20mA+HART二線制，適用供電電壓16.5-55VDC

Modbus-RTU/RS485，四線制適用供電電壓5-32VDC